サムスン　ソウル郊外にＮＡＮＤ型フラッシュメモリー生産ライン増設へ

【ソウル聯合ニュース】韓国のサムスン電子は１日、ソウル南方の半導体生産拠点、平沢事業場に最先端ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産ラインを増設すると発表した。

　同社は先月２１日には、同事業場に極端紫外線（ＥＵＶ）技術を採用したファウンドリー（半導体受託生産）の生産ラインを増設する計画を公表した。同所で来年後半から、ＥＵＶ技術を活用した回路線幅５ナノ（ナノは１０億分の１）メートル以下の製品とともに、３次元構造で作る最先端のＶＮＡＮＤ製品の量産を開始する計画だ。

　サムスン電子はＮＡＮＤ型フラッシュメモリーへの追加投資について、人工知能（ＡＩ）やモノのインターネット（ＩｏＴ）による第４次産業革命の到来と次世代通信規格「５Ｇ」の普及に伴う中長期的な需要増に対応するためのものと説明している。在宅勤務やオンライン授業といった新たな生活様式の広がりでＮＡＮＤ型フラッシュメモリーなどメモリーの需要が伸びると見込まれる中、先手を打つということだ。

　同社は投資額を公表していないが、先月発表された受託生産のラインは９兆～１０兆ウォン（約７９００億～８８００億円）、今回発表されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーのラインは７兆～８兆ウォンに達すると半導体業界はみている。

　同社は近く、平沢事業場への半導体メモリーＤＲＡＭの生産ライン増設に関する投資計画を発表するとみられており、こちらは投資額が１５兆ウォンを超える見通しだ。

　専門家らは、同社が新型コロナウイルスの感染拡大などによる世界的な危機状況のさなかにも次々と投資計画を発表している背景には、中国勢にＮＡＮＤ型フラッシュメモリー技術で激しく追い上げられる中で半導体メモリーの「超格差」を維持するため、先回りした投資が必要だとの判断があるとみている。

　同社メモリー事業部戦略マーケティング室のチェ・チョル副社長は「今回の投資は不確実な環境の中でもメモリーの超格差を一段と広げるための決定。最高の製品で国の経済とグローバルＩＴ（情報技術）産業の成長に寄与する」と話している。

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