나노미터 크기 양자점 반도체 성능 저하 새 원인 밝혔다
송고시간2021-02-03 09:44
IBS "전도대 영역 전자·정공 결합 1천조분의 1초 단위로 처음 관찰"
(대전=연합뉴스) 박주영 기자 = 기초과학연구원(IBS)은 분자 분광학·동력학 연구단 조민행 단장(고려대 화학과 교수) 연구팀이 시분해 분광법을 이용해 양자점 반도체의 성능을 떨어뜨리는 새로운 원인을 찾아냈다고 3일 밝혔다.
양자점(Quantum Dot)은 수 나노미터(㎚·10억분의 1m) 크기의 반도체 입자이다.
효율이 높고 광자 방출 속도가 빨라 태양전지, 반도체, 디스플레이 등 다양한 분야에 활용된다.
양자점 기술의 핵심은 외부 에너지(빛)를 받아 들뜬 전자가 어떤 경로를 거쳐 정공(hole·전자가 사라진 빈자리)과 다시 결합하는지에 달려 있다.
들뜬 전자가 빛 방출 없이 정공과 빠르게 결합하는 '오제현상'은 양자점의 발광 효율을 떨어뜨리는 주요 원인으로, 양자점 응용을 위해 해결해야 할 과제로 꼽힌다.
들뜬 전자의 움직임을 파악하기 위해 많은 분광학 연구들이 진행되고 있지만, 전자의 에너지 준위가 바뀌는 과정이 복잡해 관찰이 어려웠다.
연구팀은 펨토초(1천조분의 1초) 단위로 시료를 분석할 수 있는 '펨토초 시분해 분광법'을 이용해 양자점의 '전도대'(전자가 비어있는 영역)에서 벌어지는 복잡한 전자 전이 과정을 실시간으로 관측하는 데 성공했다.
관찰 결과 약 1피코초(1조분의 1초) 안에 전자와 정공이 재결합하는 현상을 발견하고, 이를 '인트라밴드 오제현상'(Intraband Auger Process)이라 명명했다.
기존 오제현상은 전자가 차 있는 '가전자대' 영역에서 일어나는 현상으로, 전도대 영역에서 전자·정공 결합 과정을 밝힌 것은 이번이 처음이다.
조민행 단장은 "전도대 내 전자 전이만을 선택적으로 관측한 결과 양자점 기술의 성능을 떨어뜨리는 또 다른 요인을 찾아냈다"며 "반도체 양자물질의 효율을 개선하는 데 기여할 것"이라고 말했다.
이번 연구 결과는 국제 학술지 '매터'(Matter) 지난달 30일 자 온라인판에 실렸다.
jyoung@yna.co.kr
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