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IBS, 양자점 반도체 성능 저하 새 원인 밝혔다
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IBS, 양자점 반도체 성능 저하 새 원인 밝혔다

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(서울=연합뉴스) 기초과학연구원(IBS) 분자 분광학·동력학 연구단인 조민행 단장(고려대 화학과 교수) 연구팀이 시분해 분광법을 이용해 양자점 반도체의 성능을 떨어뜨리는 새로운 원인을 찾아냈다고 IBS가 3일 밝혔다.

연구팀은 이번 실험에서 약 1피코초(1조분의 1초) 안에 전자와 정공이 재결합하는 현상을 발견하고, 이를 '인트라밴드 오제현상'이라 명명했다. 사진은 인트라밴드 오제현상 모식도. 2021.2.3

[IBS 제공. 재판매 및 DB 금지]

photo@yna.co.kr