전기연, 트렌치 구조 SiC 전력반도체 개발
(창원=연합뉴스) 과학기술정보통신부 산하 한국전기연구원(전기연구원)이 SiC(Silicon Carbide·탄화규소) 전력반도체 소자 최첨단 기술인 트렌치 구조 모스펫(MOSFET)을 개발했다고 21일 밝혔다.
사진은 SiC 전력반도체 제조용 웨이퍼. 2021.4.21
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제보는 카카오톡 okjebo <저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포, AI 학습 및 활용 금지> 2021/04/21 15:26 송고
